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N溝道增強型30A/650V MOSFET

作者:海飛樂技術 時間:2019-09-11 10:23

N溝道增強型30A/650V MOSFET 
  海飛樂技術30N65AN是采用自對準平面技術的硅N溝道增強型VDMOSFET,它可以降低導通損耗,改善開關性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路,使系統小型化,效率更高南方彩票平台。包裝形式為TO-3P(N),符合RoHS標準南方彩票平台。
 
30N65AN
快速開關
ESD能力提升
低柵極電荷(140nC)
低反向傳輸電容(80pF)
100%單脈沖雪崩能量測試
 
30N65AN應用:
電源開關電路
 
N溝道增強型30A/650V MOSFET絕對值參數
N溝道增強型30A/650V MOSFET絕對值參數 
 
N溝道增強型30A/650V MOSFET電參數
N溝道增強型30A/650V MOSFET電參數 
 
N溝道增強型30A/650V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型30A/650V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質南方彩票平台、高效的產品南方彩票平台,和國外產品相比,我司的該款產品具有高品質、貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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