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英飛凌推第六代650V碳化硅肖特基二極管

作者:海飛樂技術 時間:2017-11-28 11:37

  肖特基二極管是通過金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導體器件。肖特基二極管的基本結構是重摻雜的N型4H-SiC片南方彩票平台、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層南方彩票平台。

碳化硅肖特基二極管
  據悉,英飛凌科技股份公司推出第六代650V CoolSiC肖特基二極管,是CoolSiC二極管產品系列的最新成員。它立足于第五代產品與眾不同的特性,能確??煽啃阅戏讲势逼教?、質量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650V CoolMOS 7產品系列的完美補充。它們面向當前和未來的服務器和PC電源、電信設備電源和光伏逆變器應用。
  第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統南方彩票平台,內部結構也與上代產品完全不同南方彩票平台。其結果就是樹立行業標桿VF(1.25 V),以及比上一代產品低17%的Qc x VF 優質系數(FOM)南方彩票平台。此外,新推出的第六代全新二極管充分發揮碳化硅的強大特性——獨立于溫度的開關性能和沒有反向恢復電荷。
  該器件的設計有助于在所有負載條件下提高效率,同時提高系統功率密度。因此, 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統可靠性和極快開關速度等諸多優勢。新款器件是具備最佳性價比的新一代碳化硅二極管產品。
  SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存,因而反向恢復電流小,關斷過程很快,開關損耗小。傳統的硅肖特基二極管,由于所有金屬與硅的功函數差都不很大,硅的肖特基勢壘較低,硅 SBD 的反向漏電流偏大,阻斷電壓較低,只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而,碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足,許多金屬,例如鎳南方彩票平台、金、鈀、鈦南方彩票平台、鈷等,都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據報道,Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV,Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低,但最高也可以達到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬,最低只有 0.5 eV,最高可達1.7 eV。于是,SBD 成為人們開發碳化硅電力電子器件首先關注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結合的理想器件。




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