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VS-FC420SA10現貨報價_參數_替換資料

作者:海飛樂技術 時間:2019-02-18 17:25

VS-FC420SA10
  MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下南方彩票平台,這個兩個區是一樣的南方彩票平台,即使兩端對調也不會影響器件的性能南方彩票平台。這樣的器件被認為是對稱的。無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的南方彩票平台。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。
 
VS-FC420SA10
  SOT-227封裝VS-FC420SA10功率模塊南方彩票平台,采用ThunderFET®和TrenchFET®技術的單開關功率MOSFET,電壓100V,電流435A,開關和導通損耗較低南方彩票平台,適用于各類工商業應用南方彩票平台。這些MOSFET模塊還包括采用全隔離式封裝并具有低導通電阻、動態dV/dt額定值以及低漏極電容的功率MOSFET。這些功率MOSFET將快速開關性能南方彩票平台、堅固耐用的器件設計、低導通電阻和高成本效益完美結合。
 
VS-FC420SA10特性
•ID>420 A,TC=25℃
•ThunderFET®功率MOSFET
•低輸入電容(cis)
•減少開關頻率和損耗
•超低柵極電荷(QG)
•額定雪崩能量(Uis)
 
VS-FC420SA10技術參數
制造商: Vishay
產品種類: 分立半導體模塊
Vgs -柵極-源極電壓: 20 V
安裝風格: SMD/SMT
封裝/箱體: SOT-227-4
工作溫度范圍: - 55℃~+ 175℃ 
封裝: Tube
配置: Single  
通道數量: 1 Channel  
晶體管極性: N-Channel  
下降時間: 172ns  
Id-連續漏極電流: 435 A  
Pd-功率耗散: 652 W  
Rds On-漏源導通電阻: 2.15 mOhms  
上升時間: 275 ns  
工廠包裝數量: 160  
典型關閉延遲時間: 152 ns  
典型接通延遲時間: 45 ns  
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V  
單位重量: 30 g
 
VS-FC420SA10封裝尺寸
VS-FC420SA10封裝尺寸 
 
VS-FC420SA10替換資料
  海飛樂技術100V/435A功率MOSFET南方彩票平台,采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的可完全替換產品南方彩票平台,和國外進口產品相比,我司的該款產品具有貨期短南方彩票平台、性價比高等優點。我們期待您的咨詢與合作!
 
 
 
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