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IXFN100N20現貨報價_參數_替換資料

作者:海飛樂技術 時間:2019-02-20 10:40

IXFN100N20 
  MOSET主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻南方彩票平台南方彩票平台,該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。N溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的N溝道MOS管南方彩票平台。N溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時南方彩票平台,就有導電溝道產生的N溝道MOS管。
  IXFN36N100是增強型N溝道MOSFET南方彩票平台,Id=36 A,Vds=200V,4引腳SOT-227B封裝。主要應用于同步整流南方彩票平台、開關電源和照明控制等。
 
IXFN100N20特性
·國際標準封裝
·JEDECTO-264 AA南方彩票平台,環氧滿足UL94V-0
·氮化鋁隔離模塊
·多晶硅柵結構
·無阻尼感應開關(UIS)額定值
·低電感封裝
·快速整流器
 
IXFN100N20應用
·DC-DC轉換器
·同步整流
·電池充電器
·開關電源和諧振電源
·直流斬波器
·溫度和照明控制
·低壓繼電器
 
IXFN100N20優勢
·易于安裝
·節省空間
·高功率密度
 
IXFN100N20現貨技術參數
產品種類: MOSFET
RoHS: 符合  
技術: Si
安裝風格: Chassis Mount
封裝/箱體: SOT-227-4
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200V
Id-連續漏極電流: 100A
Rds On-漏源導通電阻: 23 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
工作溫度范圍: - 55℃~ 150℃ 
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 9.6 mm  
長度: 38.23 mm  
寬度: 25.42 mm  
下降時間: 30 ns  
上升時間: 80 ns  
工廠包裝數量: 10  
典型關閉延遲時間: 75 ns  
典型接通延遲時間: 30 ns  
單位重量: 30 g
 
IXFN100N20封裝尺寸
IXFN100N20封裝尺寸 
 
IXFN100N20替換資料
  海飛樂技術200V/100A N溝道MOSFET,采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的可完全替換產品,和國外進口產品相比,我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。我們期待您的咨詢與合作!
 
 
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