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1200V碳化硅MOSFET系列選型

作者:海飛樂技術 時間:2019-08-09 17:20

  SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高南方彩票平台、電子飽和速率高等特點,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件南方彩票平台。
 
  海飛樂技術SiC MOSFET在開發與應用方面南方彩票平台,實現了傳統型半導體(Si)實現不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度南方彩票平台、降低冷卻要求以及降低系統級成本。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性南方彩票平台,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率南方彩票平台。
 
  產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。

1200V碳化硅MOSFET低導通電阻 
 
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